Trimethylgallium

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Strukturformel
Strukturformel von Trimethylgallium
Allgemeines
Name Trimethylgallium
Andere Namen
  • TMG
  • TMGa
Summenformel C3H9Ga
Kurzbeschreibung

klare, farblose Flüssigkeit[1]

Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 1445-79-0
EG-Nummer 215-897-6
ECHA-InfoCard 100.014.452
PubChem 15051
Wikidata Q419426
Eigenschaften
Molare Masse 114,827 g·mol−1
Aggregatzustand

flüssig

Siedepunkt

~55 °C[2]

Dampfdruck

193 hPa (20 °C)[3]

Löslichkeit

Reagiert heftig mit Wasser[1]

Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung[3]
Gefahrensymbol Gefahrensymbol

Gefahr

H- und P-Sätze H: 225​‐​250​‐​261​‐​314
P: 210​‐​222​‐​231+232​‐​280​‐​305+351+338​‐​422[3]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet.
Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Trimethylgallium mit der Konstitutionsformel Ga(CH3)3, auch als TMG oder als TMGa bezeichnet, ist eine metallorganische Verbindung des Galliums.

Darstellung[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Trimethylgallium kann durch die Umsetzung von Galliumtrichlorid mit Dimethylzink bei 120 °C gewonnen werden.[4]

Eine Reaktion von Methylmagnesiumchlorid mit Galliumtrichlorid in Diethylether führt zu Trimethylgallium monodiethyletherat, dem Diethyletheradukt des Trimethylgallium.[4]

Eigenschaften[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Es ist bei Raumtemperatur eine klare, farblose Flüssigkeit, welche an Luft selbstentzündlich ist und mit Wasser heftig reagiert.[1][4] Trimethylgallium muss unter trockener Schutzgasatmosphäre bei Temperaturen unter 25 °C gelagert und gehandhabt werden.

Verwendung[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

Trimethylgallium dient im Rahmen der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) als Galliumquelle zur Herstellung von Verbindungshalbleitern wie Galliumphosphid (GaP), Galliumarsenid (GaAs), Galliumantimonid (GaSb), Galliumnitrid (GaN) und Indiumgalliumnitrid (InxGa1−xN), die unter anderem im Bereich der Optoelektronik Ausgangsstoffe für die Herstellung von Leuchtdioden sind.

Einzelnachweise[Bearbeiten | Quelltext bearbeiten]

  1. a b c D. Shenaikhatkhate, R. Goyette, R. Dicarlojr, G. Dripps: Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors. In: Journal of Crystal Growth. 272, 2004, S. 816–821, doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007.
  2. Hess, K.L., Dapkus, P.D., Manasevit, H.M. et al.: An analytical evaluation of GaAs grown with commercial and repurified trimethylgallium. JEM 11, 1122 (1982). doi:10.1007/BF02658919.
  3. a b c Datenblatt Trimethylgallium bei Sigma-Aldrich, abgerufen am 22. November 2011 (PDF).
  4. a b c C. A. Kraus; F. E. Toonder: Trimethyl gallium, Trimethyl gallium etherate and Trimethyl gallium ammine. In: PNAS. 19. Jahrgang, Nr. 3, 1933, S. 292–298, doi:10.1073/pnas.19.3.292, PMID 16577510, PMC 1085965 (freier Volltext).